SPA-1318Z

当您寻找卓越性能的射频解决方案时，SPA-1318Z无疑是您的理想选择。这款由Qorvo公司精心打造的IC AMP HBT GAAS芯片，在2.11GHz至2.17GHz频率范围内展现出令人惊叹的性能表现。高达29dBm的P1dB输出功率和11.5dB至13.5dB的增益，为您的射频系统提供强大的信号放大能力，同时保持优异的噪声系数表现。

在当今快速发展的无线通信领域，SPA-1318Z展现出广泛的应用潜力。无论是PCS频段的基站设备，还是W-CDMA系统的射频前端，这款芯片都能提供稳定可靠的性能支持。其紧凑的8-SOIC封装设计，不仅节省了宝贵的PCB空间，还确保了良好的散热性能，使您的产品设计更加灵活高效。

选择SPA-1318Z，意味着选择了品质与性能的完美结合。作为Qorvo代理，我们深知这款芯片在射频放大领域的独特价值。其宽广的工作电压范围(4.75V~5.25V)和适中的功耗需求(275mA~330mA)，使其在各种应用场景中都能保持稳定运行。无论是通信设备制造商，还是系统集成商，SPA-1318Z都能为您的产品带来显著的竞争优势，助您在激烈的市场竞争中脱颖而出。

• Qorvo公司完整型号：SPA-1318Z
• 制造厂商：RFMD (RFMD和TriQuint已合并成Qorvo公司)
• 功能描述：IC AMP HBT GAAS 2150MHZ 8-SOIC
• 频率：2.11GHz ~ 2.17GHz
• P1dB：29dBm (794.3mW)
• 增益：11.5dB ~ 13.5dB
• 噪声系数：7dB
• RF 类型：PCS, W-CDMA
• 电压 - 电源：4.75 V ~ 5.25 V
• 电流 - 电源：275mA ~ 330mA
• 测试频率：2.11GHz ~ 2.17GHz
• 封装/外壳：8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
• 供应商器件封装：8-SOIC
• SPA-1318Z的官网价格：Call，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。